パワーデバイス材料で注目「SiC」「GaN」
SiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）は、ケイ素（シリコン、Si）と炭素（C）で構成される化合物半導体です。 SiCは、シリコンに対して絶縁破壊電界強度が10倍、バンドギャップが3倍と優れており、p型、n型の制御が広い範囲で可能であるため、高温、高線量下使用できるパワーデバイス用材料として注目されています。 窒化ガリウム（GaN）は、非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。より高い絶縁破壊強度、より速いスイッチング速度、より高い熱伝導率、より低いオン抵抗によって、GaNに基づくパワー・デバイスは、シリコン・ベースのデバイスよりも非常に優れています。
貼付け機
○対応サイズ
Chip単体～φ300mm
□210×210以内
BG/CMP
（#1400 #2000）
ばらつき±3um
ダイシングカーブ/サークル
・フルカット
・ステップカット
・溝入れ
・サイズダウン
・穴あけ・丸加工
・多角形
ソーター
・ハードトレイ (2～4㌅)
・テープtoテープ
(φ6~12インチシート）
・マーク判定
・マップ判定(テキストファイル)
・分類 最大24(テキストファイル)
貼り合わせウエハのSiのみ研削
SiCを30μｍに研削