BG/CMP工程 | サンテック｜試作開発等から量産まで〜ダイシング加工のサンテック

BG工程、CMP工程とは？

シリコンウェハの表面を薄く研磨するのが
BG（バックグラインド）工程。

そしてBG研削により発生する砥石による破砕層を、機械的な研磨と化学的な処理を同時に行うことにより、滑らかな研磨面にするのが
CMP（ポリッシュ）工程です。

BG/CMP工程の特徴

設備

対応素材表

加工例

サンテックのBG/CMP工程の特徴

剛性材の加工

高トルクスピンドル使用
何度でも再研磨OK

リングフレーム方式

弊社独自のリング方式による加工でワークに対してノンストレス、搬送が簡単
割れたウエハやチップ単体（1㎜□～）でも対応

高品質

1枚毎の測定で厚さ公差±5μm対応
厚さ30μm量産対応、試作レベルで5μmまで対応可能

可能サイズ、設備

可能サイズ：～12インチ
DAG810：6台（セミオート）／　
GP-200：２台（CMPセミオート）

BG工程の様子

設備

DAG810 : 6台（セミオート)

GP-200：１台（CMPセミオート）～8インチ

GP-300：１台（CMPセミオート）～12インチ

高トルクBG機で剛性材にも対応

可能サイズ : ～12インチ

ＢＧ／ＣＭＰの対応素材表

シリコンウェハ

○対応サイズ

Chip単体～φ300mm

□210×210以内

表面仕上げ

鏡面

（ケミカルポリッシュ）

ポリグラインド

（＃8000相当）

精度

厚みばらつき±3um

セラミック基板

○対応サイズ

Chip単体～φ300mm

□210×210以内

表面仕上げ

表面仕上げ

（＃360）

精度

厚みばらつき±3um

SiC／サファイア

○対応サイズ

Chip単体～φ300mm

□210×210以内

表面仕上げ

（#1400　#2000）

精度

厚みばらつき±3um

GaN/異種接合品/SUS板/樹脂　など

ご相談ください

ＢＧ／ＣＭＰの加工例

シリコンウエハの薄型

周辺部にダメージが無く研削/研磨
仕上げ厚み0.06mmｔ量産品（写真）

積層セラミック

凹凸のあるセラミックを表裏研削
中空の壁を平坦に研削ばらつきを無くす

異型のＢＧ／ＣＭＰ

Chip単体(左)/分割ウェハ(右)を加工

Chip単体:数量一個・大きさ□1.0mmからでも対応

分割ウェハ:分割して厚み違いを作製

＊割れたウェハの救済も対応

再ＢＧ／ＣＭＰ

研磨後、再研磨が必要と判断した場合再度研磨

貼り合わせウエハのＢＧ

貼り合わせウエハのSiのみ研削

SiCのＢＧ

SiCを30μｍに研削